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MICRON DDR3 SDRAM

发布时间：2022-06-07 16:52:33 浏览：815

MICRON DDR3 SDRAM比之前的DDR和DDR2 SDRAM提供更多的带宽。除了出色的性能外，DDR3还具备较低的工作频率范围。结果可以是更高带宽的实施系统，同时消耗相等或更少的系统功率。然而，根据数据规范确定系统应用程序内的功率并不总是简单的。

要估算MICRON DDR3 SDRAM的功率，您必须了解设备的基本功能。DDR3设备的采用与DDR2类似。针对这两种设备，DRAM的主要采用由时钟启动（CKE）控制。如果CKE低，则输入缓冲区关闭。为了允许DRAM接收命令，CKE必须高以启动输入缓冲区，并将命令/地址传播到DRAM上的逻辑/解码器。在正常采用期间，发送至DRAM的第一个命令通常是ACT命令。此命令选择银行和银行地址。数据存储在选择行的模块中，然后从阵列传输到传感放大器。

MICRON (3).png

MICRON DDR3 SDRAM内有八个不同的阵列组。每个存储组都包括自己的一组检测放大器，可以采用唯一的行地址独立激活这些放大器。当一个或多个存储组的数据存储在传感放大器中时，DRAM激活。数据保存在传感放大器中，直到对同一组的预命令将数据恢复到阵列中的�？�。每个ACT命令必须有一个与之关联的前置命令；也就是说，除非采用了所有预充电命令，否则ACT和PRE命令成对出现。

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