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Linear Systems

Linear Systems是小信号分立半导体的设计商和制造商。公司成立于1987年，产品线包括：超低噪声 N 沟道和 P 沟道双通道和单通道 JFET、高速横向 DMOS 开关、双极晶体管、BIFET 放大器、电流调节二极管、低漏电流二极管、MOSFET、PhotoFETS 和压控电阻器。主要市场包括：音频;杂交种;工业控制;仪表;医疗电子;军事;空间;和测试与测量。

相关产品

2N/PN/SST4117系列单N沟道JFET放大器

栅源或栅漏电压:-40V

马栅电流:50

器件总耗散:300mW

存储温度范围:-55℃~ +150℃

导致温度:300?C

订货周期3-4周

LS846单通道低噪声N沟道JFET放大器

储存温度:-55 ~ +150℃

连续功率:300mW³

栅极正向电流:I_G(F) = 10mA

栅极对源:V_GSO = 60V

栅极到漏极:V_GDO = 60V

订货周期3-4周

LS190单N沟道JFET放大器

HIGH BREAKDOWN VOLTAGE:BV_GSS=40V max

HIGH GAIN:G_fs=22mS (typ)

HIGH INPUT IMPEDENCE:I_G= -500pA max

LOW CAPACITANCE:20pF (typ)

订货周期3-4周

LSK189单通道低噪声N沟道JFET放大器

储存温度:-55 ~ +150℃

连续功率:300mW⁴

栅极正向电流:I_G(F) = 10mA

栅极对源:V_GSO = 60V

栅极到漏极:V_GDO = 60V

订货周期3-4周

J/SST/U308系列单通道高频N沟道JFET放大器

OUTSTANDING HIGH FREQUENCY GAIN ：Gpg = 11.5dB

LOW HIGH FREQUENCY NOISE ：NF = 2.7dB

储存温度:-55 ~ 150℃

连续功率耗散(J/SST)4:350mW

连续功耗(U): 500mw

栅极电流(J/SST):10mA

栅极电流(U): 20mA

栅极到漏极:-25V

栅极到源:-25V

订货周期3-4周

J/SST210系列低噪声N沟道JFET通用放大器

HIGH GAIN：g_fs=7000?mho MINIMUM (J211, J212)

HIGH INPUT IMPEDENCE：I_GSS= 100pA MAXIMUM

LOW CAPACITANCE：C_ISS= 5pF TYPICAL

Gate-Drain or Gate-Source Voltage：-25V

Gate Current：10mA

Total Device Dissipation @25°C Ambient (Derate 3.27 mW/°C)：360mW

Operating Temperature Range：-55 to +150 °C

订货周期3-4周

J/SST201系列单通道低噪声N沟道JFET放大器

储存温度:-65 ~ +150℃

持续功率:350mw

栅极正向电流:I_G(F) = 10mA

栅极到源:V_GSS = 40V

栅极到漏极:V_GDS = 40V

订货周期3-4周

LSJ289低噪声低电容单P沟道JFET

储存温度:-55 ~ +150℃

持续功率:300 mw⁴

栅极正向电流:I_G(F) = 10mA

栅极对源:V_GSO = 50V

栅极到漏极:V_GDO = 50V

订货周期3-4周

2N/LS5905低漏电单片双N沟道JFET

储存温度:-55 ~ +150℃

-VGSS栅极对漏极或源极电压:40V

-IG(f)栅极正向电流:10mA

-IG栅极反向电流:10?A

设备损耗:500mW²

订货周期3-4周

2N5564系列低噪声单片双N沟道JFET

储存温度:-55 ~ +150℃

连续耗电量(总):500mW

门当前:50 ma

栅极到漏极:-40V

栅极对源:-40V

订货周期3-4周

SST/U440系列宽带单片双N沟道JFET放大器

高CMRR:CMRR≥85dB

低栅极漏电:IGSS≤1pA

储存温度:-55 ~ +150℃

连续耗电量(总):500mW

门当前:50 ma

栅极到漏极:-25V

栅极到源:-25V

门对门:±50V

订货周期3-4周

SST/U401系列低噪声单片双N通道JFET放大器

LOW DRIFT: │VGS1-2/T│= 10?V/?C TYP.

LOW NOISE: en=6nV/Hz@10Hz TYP.

LOW PINCHOFF: VP=2.5V MAX

Temperatures:-55 to +150°C

订货周期3-4周

LS26VNS N沟道JFET压控电阻器

储存温度：-55 ~ +150°C

结工作温度：-55至+135°C

连续功耗@ Ta= +25°C： 350mW

栅极正向电流：I_G(F) = 10mA

门到源：V_GSS = -40V

栅极到漏极：V_GDS = -40V

订货周期3-4周

J/SST111系列低漏电N沟道JFET开关

储存温度:-55 ~ 150℃

结工作温度:-55至150°C

连续耗散功率(J):360mW

SST (Continuous Power耗散):350mW

门当前:50 mA

栅极到漏极:-35V

栅极到源:-35V

订货周期6-8周

2N5018系列低导通电阻P沟道JFET开关

储存温度:-55 ~ 150℃

结工作温度:-55至150°C

连续功率:500mW

门电流:-10 mA

栅极到漏极:30V

栅极到电源:30V

订货周期6-8周

J/SST174系列单个P沟道JFET开关

储存温度:-55 ~ 150℃

结工作温度:-55至135°C

连续功率:350mW

栅极电流:I_G = -50mA

栅极至漏极电压:V_GDS = 30V

门源电压:V_GSS = 30V

订货周期6-8周

4391DFN系列单N沟道JFET开关

储存温度:-55 ~ 150℃

结工作温度:-55至150°C

连续功耗:300mW

门电流:50mA

栅极到漏极或源极:-40V

订货周期6-8周

2N/PN/SST4391系列单通道低噪声N沟道JFET开关

储存温度(2N): -65 ~ 200℃

存储温度(PN/SST):-55 ~ 150°C

结工作温度(2N): -55 ~ 200℃

结工作温度(PN/SST):-55至150°C

连续功耗(2N)@Tc=25°C:1800mW3

连续功耗(PN/SST):350mW4

门当前:50 ma

栅极到漏极或源极(2N/PN):-40V

订货周期6-8周

LS320高输入阻抗单通道BIFET放大器

储存温度:-55 ~ +150℃

工作结温:-55至+125°C

+25°C连续功耗:200mW

漏极电流:I_D = 25mA

漏极到源极:V_DSO = 20V

栅极到源:V_GSS = 20V

订货周期6-8周

3N165系列单芯片双通道P沟道MOSFET

3N165:40 V

3N166:30 V

栅极电压:±80v

漏极电流(注2):50 mA

存储温度:-55℃~ +150℃

工作温度:-55℃~ +150℃

铅温(焊接，10秒);+300?C

单侧功耗:300mw

总降额高于25?C:4.2 mW/?C

订货周期6-8周

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