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LS26VNS N 沟道单 JFET 压控电阻器具有漏源电阻，该电阻由施加到高阻抗栅极端子的直流偏置电压 (VGS) 控制。当VGS = -1.0V时，最小RDS为14 Ω。当VGS接近时，-6.0V RDS的夹断电压迅速增加到最大值，即RDS = 38 Ω。对于 P 通道版本，请参阅我们的LS26VPS。N 沟道和 P 沟道部件均由相同的芯片几何形状制成，因此具有互补性。该器件采用 TO-92 3L RoHS、SOT-23 3L RoHS 和 DFN 8L RoHS 封装以及裸片形式。
订购信息
以下是订购此部件时的选项：
LS26VNS TO-92 3L RoHS
LS26VNS SOT-23 3L RoHS
LS26VNS DFN 8L RoHS
特性
?连续电压控制电阻
?高关闭隔离
?高输入阻抗
?增益测距能力
?简化的驱动电压能力
?无电路交互
?宽范围信号衰减
好处
?宽范围信号衰减
?增益测距
?简化栅极驱动
?高击穿电压
?无电路交互
应用
?可变增益放大器
?自动增益控制
?压控振荡器
?小信号衰减
?滤波器范围控制
