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Linear Systems LSK489低电容双N沟道JFET

发布时间：2024-01-30 08:49:52 浏览：554

　　Linear Systems推出的LSK489低噪声、低电容双N沟道JFET，专为所有(音频和非音频)低噪声应用而设计。

　　LSK489 1.8nV、1K Hz、低电容、N沟道单片双 JFET是超低噪声双 JFET 系列的一部分，专门设计用于为用户提供性能更好、耗时更少且更便宜的解决方案，以获得更紧密的 IDSS 匹配，以及与匹配单个 JFET 更好的热跟踪。

　　LSK489 采用表面贴装和符合 ROHS 标准的封装版本，是类似 JFET 的理想改进功能替代品，这些 JFET 在空间受限的音频和仪器仪表应用电路中具有远差的噪声特性和栅极到漏极电容。“LSK489 为各种低噪声应用提供了显著提高的功能。”凌力尔特总裁兼首席执行官John H. Hall表示。“能够使用我们的 LSK389 构建低噪声电路的设计人员将对 LSK489 能够为他们做些什么印象深刻。”

　　Hall说，LSK489最重要的方面是它结合了几乎与LSK389一样低的噪声水平，同时具有更低的栅极到漏极电容，4pF比25pF低得多。虽然 LSK389 在 1k 时提供低于 1nV 的超低噪声，但电容足够高，导致设计人员不得不使用共源共栅功能来处理更高的带宽，而不会出现互调失真。

Linear Systems LSK489低电容双N沟道JFET

　　与LSK389(0.5纳伏)相比，LSK489的噪声略高，在大多数情况下并不显著，而低得多的电容使设计人员能够用更少的器件生产更简单、更优雅的电路设计，从而降低生产成本。虽然共源共栅是补偿某些不良晶体管特性的有效技术，但使用它的缺点是电路噪声较高。在共源共栅配置中，每个晶体管的噪声被组合在一起。LSK489 ?的电容较低，因此在大多数电路设计中无需共源共栅配置。

　　与 Linear Systems LSK389 一样，LSK489 采用独特的设计结构，将两个 JFET 交错在同一片硅片上，以提供出色的匹配和热跟踪，以及具有几乎零爆米花噪声的低噪声曲线。

　　LSK489 采用表面贴装 SOIC-8、通孔 TO-71 封装和更小的 SOT23-6 封装。提供符合 ROHS 标准的无铅版本。Linear Systems的?国内工厂库存保证了较短的交货时间，确保生产计划不会中断。

　　特征描述：

　　低噪声(典型值为 1.8 nv/hz @ 1khz)

　　几乎零爆米花噪音

　　IDSS 匹配度最大为 10%

　　低偏移/紧密匹配 (|Vgs1- Vgs2|= 20mV 最大值)

　　低电容 (CISS=4 pf)

　　高输入阻抗

　　高击穿电压 (BVGSS = 40V Min)

　　低噪声、减少器件数量，是经典 (2) 双 JFET 共源共栅配置的替代方案

　　Siliconix U401 系列和 Linear Systems 844 系列的改进替代品

　　表面贴装 SOIC 版本和更小的 SOT23-6 封装

　　提供符合 ROHS 标准的无铅版本

　　应用：

　　麦克风放大器;

　　唱机前置放大器;

　　音频放大器和前置放大器;

　　分立式低噪声运算放大器;

　　电池供电的音频前置放大器;

　　调音台;

　　声学传感器;

　　声波成像;

　　和仪表放大器;

　　宽带差分放大器;

　　高速比较器;

　　阻抗转换器

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