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Infineon英飞凌FF11MR12W2M1HP_B11碳化硅MOSFET�？�

发布时间：2024-03-05 11:33:44     浏览：391

Infineon英飞凌 EasyDUAL 2B (易双双? 2B) CoolSiC? MOSFET系列晶体管半桥�？槭且豢�1200V的高性能产品，具有11 mΩ G1的极低电阻，集成了NTC温度传感器、PressFIT压接接触技术和预涂热界面材料。

Infineon英飞凌FF11MR12W2M1HP_B11碳化硅MOSFET�？�

**特征描述**：

- 封装高度为12mm，具备一流的封装设计。

- 使用前沿的WBG材料(宽禁带能带材料)。

- �？槟诓康脑由⒌绺泻艿停兄谔岣咝阅�。

- 采用增强型CoolSiC? MOSFET Gen 1技术。

- 扩大的栅极驱动电压窗口。

- 栅源电压范围为+23 V 和 -10 V。

- 在高达175°C的过载条件下，具备出色的TVJOP(结温钳位)性能。

- 使用PressFIT压接针进行连接。

- 集成了NTC温度传感器。

**优势**：

- 出色的组件效率，能够提供高效的工作表现。

- 具备系统成本优势，可降低整体开销。

- 提高系统效率，使系统更加节能。

- 降低冷却要求，减少散热需求。

- 支持实现更高的工作频率。

- 提高功率密度，实现更小体积的设计。

**应用领域**：

- 不间断电源(UPS)。

- 储能系统。

- 电动汽车快速充电。

- 燃料电池DC/DC升压转换器。

- 太阳能系统解决方案。

参数：

参数FF11MR12W2M1HP_B11
应用储能系统 ; 电动汽车充电器 ; UPS不间断电源 ; 太阳的
配置半桥
尺寸（长度）62.8 毫米
尺寸（宽度）48 毫米
特征PressFIT ; TIM
HousingEasy 2B
资格工业
RDS（开）（@ Tj = 25°C）10.8毫安

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