HCFE107010-151µç¸ÐÆ÷DELTA/Cyntec
·¢²¼Ê±¼ä£º2024-08-19 09:55:22 ä¯ÀÀ£º309
¡¡¡¡HCFE107010-151ÊÇÓĘ́´ïǬÀ¤¹«Ë¾(CYNTEC CO., LTD.)Éú²úµÄµç¸ÐÆ÷£¬ÊôÓÚHCFE107010ϵÁС£Õâ¿îµç¸ÐÆ÷µÄ¾ßÌå²ÎÊýÈçÏ£º
Electrical Characteristics@25¡æ,100kHz,1V | |||||||
Delta P/N | L (nH) ¡À10% | Li (nH) MIN | DCR (m2) ¡À10% | Isat? (A) | Ir? (A) | ||
25¡æ | 100¡æ | 125¡æ | |||||
HCFE107010-121 | 120 | 86 | 0.17 | 114 | 93 | 85 | 66 |
HCFE107010-151 | 150 | 108 | 91 | 74 | 68 | ||
HCFE107010-181 | 180 | 130 | 72 | 58 | 54 | ||
HCFE107010-221 | 220 | 158 | 57 | 46 | 43 | ||
HCFE107010-271 | 270 | 194 | 44 | 36 | 33 | ||
HCFE107010-331 | 330 | 231 | 35 | 28 | 26 |
¡¡¡¡µçÆøÌØÐÔ(ÔÚ25¡ãC£¬100kHz£¬1VÌõ¼þϲâÁ¿)£º
¡¡¡¡Delta P/N(²úÆ·±àºÅ)£º HCFE107010-151
¡¡¡¡L(µç¸Ð)£º 150 nH (¡À 10%)
¡¡¡¡Li(±¥ºÍµç¸Ð)£º 108 nH (×îСֵ)
¡¡¡¡DCR(Ö±Á÷µç×è)£º 0.17 m¦¸ (¡À 10%)
¡¡¡¡Isat (±¥ºÍµçÁ÷)£º91 A (25¡ãC)£¬74 A (100¡ãC)£¬68 A (125¡ãC)
¡¡¡¡Ir (ÎÂÉýµçÁ÷)£º66 A
¡¡¡¡×¢ÊÍ£º
¡¡¡¡1. IsatÊǵ¼Öµç¸ÐϽµµ½±¥ºÍµç¸Ð(Li)ʱµÄÖ±Á÷µçÁ÷¡£
¡¡¡¡2. IrÊǵ¼ÖÂÆ÷¼þ±íÃæζÈÉÏÉýÔ¼40¡ãCµÄµçÁ÷¡£
¡¡¡¡3. ²Ù×÷ζȷ¶Î§£º-40¡ãC ÖÁ 125¡ãC(°üº¬×ÔÉíÎÂÉý)¡£
¡¡¡¡¸Ãµç¸ÐÆ÷ÊÊÓÃÓڸߵçÁ÷µÄÓ¦Óó¡¾°£¬¾ßÌå²ÎÊýÈçÉÏ£¬Äܹ»ÔÚ¶àÖÖζÈϱ£³Ö½Ï¸ßµÄ±¥ºÍµçÁ÷ºÍÎÂÉýµçÁ÷¡£
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Ampleon?ÊÇÒ»¼Òרҵ´ÓÊÂÉäƵ¹¦ÂÊ·Å´óÆ÷ºÍ°ëµ¼ÌåÆ÷¼þÉè¼ÆÖÆÔìµÄ¹«Ë¾¡£ÔÚ UHF ¹ã²¥ºÍͨÐÅϵͳÖУ¬ËûÃÇµÄ LDMOS£¨Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor£©¾§Ìå¹Ü²úÆ··Ç³£ÖªÃû£¬²¢¹ã·ºÓ¦ÓÃÓÚ¸÷ÖÖÉäƵ¹¦ÂÊ·Å´óÆ÷ÖС£ÕâЩ¾§Ìå¹ÜÌṩ¸ß¹¦ÂÊ¡¢¸ßЧÂʺÍÎȶ¨ÐÔ£¬ÊÊÓÃÓڹ㲥·¢Éä»ú¡¢»ùÕ¾µÈÁìÓò¡£Èç¹ûÄúÓоßÌåµÄ¼¼ÊõÎÊÌâ»ò²úÆ·ÐèÇ󣬿ÉÒÔ½øÒ»²½×ÉѯÁ¢Î¬´´Õ¹¡£
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