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    BFP196WH6327XTSA1低噪声硅RF晶体管Infineon英飞凌

    发布时间：2024-10-28 09:01:28     浏览：156

    BFP196WH6327XTSA1低噪声硅RF晶体管Infineon英飞凌

    　　BFP196WH6327XTSA1 是一款低噪声硅射频(RF)晶体管，专为需要高频率和低噪声放大的应用而设计。以下是该晶体管的一些关键特性和参数：

    　　特征描述：

    　　1. 集电极电流范围： 适用于集电极电流从20毫安(mA)至80毫安(mA)。

    　　2. 频率范围： 适用于频率高达1.5吉赫兹(GHz)的天线和电信系统。

    　　3. 低噪声和低失真： 适合宽带放大器，如DECT(数字增强无绳通信)和PCN(个人通信网络)系统的功率放大器。

    　　4. 频率特性： 在900兆赫兹(MHz)下，其转换频率(fT)为7.5吉赫兹(GHz)，噪声系数(F)为1.3分贝(dB)。

    　　5. 环保： 无铅，符合欧盟的RoHS(限制有害物质使用)标准。

    　　6. 认证： 根据汽车电子委员会(AEC)的AEC-Q101标准提供认证报告。

    　　潜在应用：

    　　1. 无线通信： 适用于无线通信设备。

    　　2. 射频前端： 作为低噪声放大器(LNA)使用。

    　　3. 其他应用： 适用于蜂窝电话、无绳电话、DECT、协调器、FM(调频)和RF(射频)调制解调器等多种应用。

    　　参数：

    　　最大增益(Gmax)： 在900MHz时为19分贝(dB)。

    　　最大集电极电流(IC)： 150毫安(mA)。

    　　最小噪声系数(NFmin)： 在900MHz时为1.30分贝(dB)。

    　　三阶互调截取点(OIP3)： 在900MHz时为32分贝毫瓦(dBm)。

    　　1分贝压缩点(OP1dB)： 在900MHz时为19分贝毫瓦(dBm)。

    　　封装类型： SOT343。

    　　最大集电极-发射极电压(VCEO)： 12伏特(V)。

    　　这款晶体管因其低噪声和高增益特性，非常适合用于需要高线性和高效率的射频放大器设计。

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