九游会·J9-官方网站|真人游戏第一品牌



    Solitron Devices SMF182 500V N沟道功率MOSFET

    发布时间：2024-12-23 09:05:11     浏览：104

    　　SMF182是一款500V N-Channel Power MOSFET，专为满足高电压和中等电流的电力转换需求而设计。它具备7A的连续漏极电流和850mΩ的导通电阻，确保了在各种应用中的高效能和低功耗。此外，SMF182还内置了快速恢复二极管，进一步优化了电力转换的效率。

    Solitron Devices SMF182 500V N沟道功率MOSFET

    　　关键特性

    　　连续漏极电流 (ID)：7A

    　　导通电阻 (RDS(on))：850mΩ

    　　漏源电压 (VDSmax)：500V

    　　栅源电压 (VGSS)：±20V(连续)

    　　连续漏极电流 (ID25)：7A

    　　脉冲漏极电流 (ID(PULSE))：28A(脉冲宽度Tp受TJmax限制)

    　　功率耗散 (PD)：163W

    　　结温范围，工作/存储 (TJ/TSTG)：-55°C至150°C

    　　封装：TO-254 密封封装

    　　电气性能

    　　SMF182在电气性能上同样出色。它具有1.5V的体二极管正向电压和700ns的反向恢复时间，这些特性使得它在开关应用中表现出色。此外，其栅阈值电压在2至4V之间，确保了稳定的开关性能。

    　　热管理

    　　在热管理方面，SMF182的热阻为0.767°C/W，这意味着它能够在高功率耗散下保持较低的工作温度，从而提高了产品的可靠性和寿命。

    　　应用领域

    　　SMF182适用于多种电力转换应用，包括但不限于电源转换器、电机驱动器和高功率开关电路。其高电压和中等电流的特性，使其在这些领域中表现出色。

    更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询立维创展。

    推荐资讯

    • 射频功率放大器B10G3336N16DL 适用于小型蜂窝和mMIMO驱动器应用
      射频功率放大器B10G3336N16DL 适用于小型蜂窝和mMIMO驱动器应用 2023-11-21 15:38:34

      该B10G3336N16DL是一款 3 级 16 W 完全集成的 Doherty MMIC 解决方案，采用 Ampleon 最先进的 LDMOS 技术。该多频段器件非常适合作为频率范围为 3300 MHz 至 3600 MHz 的通用器件。

    • MICRON DDR4 SDRAM
      MICRON DDR4 SDRAM 2022-04-24 17:03:57

      MICRON? DDR4 SDRAM是高速动态随机存取储存器，内部配备有x16配置的8列DRAM和X4和X8配置的16列DRAM。MICRON DDR4 SDRAM选用8N预取构造，实现高速运行。8N预取构造与接口相结合，设计适用于在I/O引脚上每时钟周期传输两个数据项。

    在线留言

    在线留言
    【网站地图】【sitemap】