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Infineon英飞凌P 沟道 MOSFET 采用空穴流作为载流子，其迁移率小于 N 沟道 MOSFET 中的电子流。就功能而言，二者的主要区别在于 P 沟道 MOSFET 需要从栅极到源极的负电压 (VGS) 才能导通，而 N 沟道 MOSFET 则需要正 VGS 电压。这使得 P 沟道 MOSFET 成为高边开关的理想之选。器件设计简洁，有利于在有限空间内打造低压驱动应用和非隔离 POL 产品。P 沟道 MOSFET 特性的一大优势在于可简化栅极驱动技术，这通�？山档驼宄杀�。
英飞凌提供从-12 V到-250 V各种电压等级的P沟道功率MOSFET。P沟道增强型功率MOSFET为设计者提供了一种新的选择，可以在优化性能的同时简化电路设计，有-60 V 、-100 V，以及-200 V和-250 V P沟道MOSFET。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。英飞凌的-12 V P沟道MOSFET和-20 V P沟道MOSFET提供了行业标准的表贴功率封装，而-30 V P沟道MOSFET和-40 V P沟道MOSFET则经过优化，可从分销商合作伙伴处获得最广泛的供应支持。
P沟道功率MOSFET，包括P沟道MOSFET-12V系列，非常适用于电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC转换器和低压驱动应用。P沟道MOSFET，如P沟道MOSFET-30V系列，通常用于消费电子产品，如笔记本、手提电脑、手机和PDA。
可用的封装包括D?PAK、DPAK、 DirectFET, IPAK, I2 PAK, PQFN, SOT-223, TO-220, TO-247, SOT-23, TSOP-6, 和SuperSO8等等。浏览我们的产品列表，找到高度创新的完整P沟道MOSFET产品清单，包括我们的 OptiMOS?产品系列，电压范围涵盖-12 V至-250 V。
30V单P沟道StrongIRFET?功率MOSFET，采用DirectFET? MX封装
StrongIRFET?功率MOSFET系列针对低R进行了优化DS(开)和高电流能力。这些器件非常适合需要高性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合适用于广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 转换器。
特征描述：
针对分销合作伙伴提供最广泛的可用性进行了优化
符合JEDEC标准的产品认证
高额定电流
双面冷却能力
封装高度低：0.7mm
低寄生 (1-2 nH) 电感封装
100%无铅(无RoHS豁免)
优势：
分销合作伙伴的广泛可用性
行业标准资质等级
高载流能力
最佳热性能
紧凑的外形
高效率
环保
应用：
电源管理功能
电机控制车载充电器
直流-直流
消费者
参数：
| Parametrics | IRF9383M |
ID (@25°C) max | -160 A |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Ptot max | 113 W |
Ptot (@ TA=25°C) max | 2.1 W |
Package | DirectFET(M) |
Polarity | P |
QG (typ @4.5V) | 67 nC |
Qgd | 29 nC |
RDS (on) (@4.5V) max | 4.8 m? |
RDS (on) (@10V) max | 2.9 m? |
RthJC max | 1.1 K/W |
Tj max | 150 °C |
VDS max | -30 V |
VGS(th) min max | -1.8 V -1.3 V -2.4 V |
VGS max | 20 V |
