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RIC7S113A4功率MOSFET和IGBT驱动器

发布于：2024-04-22 14:35:29

品牌名称：IR HiRel

  • 订货周期：3-4周
  • 立即订购

重要参数：

VOFFSET (max) = 400 V 

VCC = 10 V to 20 V 

VDD = 5 V to 20 V 

IOUTA/B source/sink (typ) = 2 A / -2 A 

ton (typ) = 120 ns 

Toff (typ) = 100 ns 

MT (typ) = 5 ns

TJ = -55°C to 125°C


  • 产品详情

RIC7S113：抗辐射高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，适用于太空等环境。

功能特点：

1. 独立高低侧栅极驱动器，±5V偏置电压。

2. 节省空间和重量，无需栅极驱动变压器。

3. 欠压锁定、CMOS施密特触发输入。

4. 匹配传播延迟、边沿触发、集成电平转换。

5. 密封包装、抗辐射、单粒子效应硬度。

6. 安全工作区定义、瞬态抗扰度。

7. 应用：卫星、功率调节、配电、DC-DC转换、电机驱动。

Orderable part
number		Package typeDevice classTotal ionizing
dose leve		Temperature
range  (℃)
RIC7S113A4SCSFlatpackLevel  S?100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113A4SCBFlatpackLevel  B?100krad(Si-55 to 125
RIC7S113A4FlatpackCOTS100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113C4CDKDieClass  K?100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113C4CDHDieClass  H?100krad(Si-55 to 125
RIC7S113C4CDVDieVisual Inspection Only100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113E4SCSLCC CICLevel S'100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113E4SCBLCC CICLevel Bl100krad(Si-55 to 125
RIC7S113E4LCC CICCOTS100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113L4SCSMO-036AB CICLevel S100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113L4SCBMO-036AB CICLevel  B?100krad(Si-55 to 125
RIC7S113L4MO-036AB CICCOTS100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113EVAL1Evaluation Board


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